這篇科學論文討論了在現(xiàn)實系統(tǒng)中使用石墨烯的潛力，以及證明其具有競爭力的性能、可靠性和大規(guī)模制造途徑的必要性。研究人員使用單層石墨烯電吸收調(diào)制器作為測試工具，并將它們集成到 300mm 試點 CMOS 鑄造環(huán)境中。通過分析來自每個晶圓數(shù)百個器件的數(shù)據(jù)，他們確定并優(yōu)化了特定處理步驟對性能的影響。優(yōu)化后，他們展示了 50 dB/mm 的調(diào)制深度和高達 15.1 GHz 的電光帶寬，用于 25μm 長的設備。這些結(jié)果是使用 CMOS 兼容工藝實現(xiàn)的，該工藝允許大批量、低成本制造。研究人員認為，這項工作解決了石墨烯晶圓級集成的瓶頸，并且CMOS兼容的處理使基于石墨烯的器件與同一芯片上的其他光子學和電子學構(gòu)建塊的協(xié)集成成為可能。